#BSM200GB120DLC Infineon BSM200GB120DLC ใหม่ IGBT: 200A1200V;โมดูล IGBT 1200V 200A DUAL, รูปภาพ BSM200GB120DLC, ราคา BSM200GB120DLC, #BSM200GB120DLC ซัพพลายเออร์
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
ผู้ผลิต: Infineon
ประเภทสินค้า: โมดูล IGBT
RoHS: ไม่
ยี่ห้อ: เทคโนโลยี Infineon
สินค้า: โมดูล IGBT Silicon
การกำหนดค่า: คู่
นักสะสม - ตัวปล่อย แรงดันไฟฟ้า VCEO สูงสุด: V 1200
Collector-Emitter Saturation แรงดันไฟฟ้า: V 2.1
กระแสสะสมอย่างต่อเนื่องที่ 25 C: 420
Gate-Emitter กระแสไฟรั่ว: 400 นาโนเมตร
Pd - กำลังงานสูญเสีย: W 1550
แพ็คเกจ / เคส: 62 มม
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: + 125 องศาเซลเซียส
แรงดันไฟฟ้าประตูสูงสุด: +/- 20 โวลต์
อุณหภูมิการทำงานขั้นต่ำ: - 40 องศาเซลเซียส
รูปแบบการติด: สกรู
จำนวนแพ็คโรงงาน: 10
IGBT: 200A1200V; โมดูล IGBT 1200V 200A DUAL
Shunlongwei ตรวจสอบ BSM200GB120DLC ทุกเครื่องก่อนจัดส่ง BSM200GB120DLC ทั้งหมดพร้อมการรับประกัน 6 เดือน