#FF300R12KT3 Infineon FF300R12KT3 Neuer Trans IGBT Modul N-CH 1.2KV 480A 7-polig 62MM-1, FF300R12KT3 Bilder, FF300R12KT3 Preis, #FF300R12KT3 Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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FF300R12KT3-Funktionen
IGBT3 und emittergesteuerte Hochleistungsdiode 1200 V 300 A
Maximale Bewertungen und Eigenschaften
Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Emitter Spannung Tvj = 25 °C VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Kollektor-Dauergleichstrom TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC Nennwert 300A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Wiederholter Kollektorspitzenstrom tP = 1 ms ICRM 600 A
Gesamt-Verlustleistung Gesamtverlustleistung TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 1450 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-Emitter-Spitze Spannung VGES ± 20 V.
Temperatur im Schaltbetrieb Temperatur im Schaltbetrieb Tvj op -40~150 °C
Lagertemperatur Lagertemperatur Tstg -40~125 °C
Gewicht Gewicht 340 g
IGBT3 und emittergesteuerte Hochleistungsdiode 1200 V 300 A
Maximale Bewertungen und Eigenschaften
Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Emitter Spannung Tvj = 25 °C VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Kollektor-Dauergleichstrom TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC Nennwert 300A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Wiederholter Kollektorspitzenstrom tP = 1 ms ICRM 600 A
Gesamt-Verlustleistung Gesamtverlustleistung TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 1450 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-Emitter-Spitze Spannung VGES ± 20 V.
Temperatur im Schaltbetrieb Temperatur im Schaltbetrieb Tvj op -40~150 °C
Lagertemperatur Lagertemperatur Tstg -40~125 °C
Gewicht Gewicht 340 g