#FF300R12KT3 Infineon FF300R12KT3 Nouvelle Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 480A 7 broches 62MM-1, images FF300R12KT3, prix FF300R12KT3, fournisseur #FF300R12KT3
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Email: sales@shunlongwei.com
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Caractéristiques du FF300R12KT3
IGBT3 et diode haute efficacité contrôlée par émetteur 1200V 300A
Valeurs et caractéristiques maximales
Valeurs maximales absolues (Tc = 25 ° C sauf indication contraire)
Collecteur-émetteur-Sperrspannung Collecteur-émetteur Tension Tvj = 25°C VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Courant de collecteur DC continu TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom 300A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Courant de collecteur de crête répétitif tP = 1 ms ICRM 600 A
Gesamt-Verlustleistung Puissance dissipée totale TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 1450 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung Pic de l'émetteur de porte Tension VGES ± 20 V
Temperatur in Schaltbetrieb Température dans les conditions de commutation Tvj op -40~150 °C
Lagertemperatur Température de stockage Tstg -40~125 °C
Gewicht Poids 340 g
IGBT3 et diode haute efficacité contrôlée par émetteur 1200V 300A
Valeurs et caractéristiques maximales
Valeurs maximales absolues (Tc = 25 ° C sauf indication contraire)
Collecteur-émetteur-Sperrspannung Collecteur-émetteur Tension Tvj = 25°C VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Courant de collecteur DC continu TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom 300A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Courant de collecteur de crête répétitif tP = 1 ms ICRM 600 A
Gesamt-Verlustleistung Puissance dissipée totale TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 1450 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung Pic de l'émetteur de porte Tension VGES ± 20 V
Temperatur in Schaltbetrieb Température dans les conditions de commutation Tvj op -40~150 °C
Lagertemperatur Température de stockage Tstg -40~125 °C
Gewicht Poids 340 g