FF300R12MS4-Video
Verkaufen FF300R12MS4, Infineon FF300R12MS4 Neuer Bestand, Infineon IGBT Modul EconoDUAL™3 Modulen mit schnellem IGBT2 für hohe Schaltfrequenz 1700V 300A #FF300R12MS4
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Infineon FF300R12MS4 ist ein Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)-Modul, das bis zu 1200 Volt und 300 Ampere Strom verarbeiten kann. Es wurde für den Einsatz in industriellen Anwendungen entwickelt, die eine hohe Zuverlässigkeit und Effizienz erfordern, wie z. B. erneuerbare Energiesysteme, Stromversorgungen und Motorantriebe.
FF300R12MS4 ist mit erweiterten gebaut IGBT Technologie Dies sorgt für hohe Schaltgeschwindigkeiten und geringe Einschaltverluste, was zu einer geringeren Verlustleistung und einer verbesserten Systemeffizienz führt. FF300R12MS4 verfügt über einen eingebauten Temperatursensor und einen Überstromschutz und gewährleistet so einen sicheren und zuverlässigen Betrieb auch unter rauen Betriebsbedingungen.
Infineon FF300R12MS4-Funktionen
Maximale Nennwerte
Sammler-Emitter Spannung VCES 1200 V bei Tvj = 25°C
Kollektor-Dauerstrom ICnom 300A bei TC = 60°C, Tvj max = 150°C
Wiederkehrender Kollektorspitzenstrom ICRM 600 A bei tP = 1 ms
Gesamtverlustleistung Ptot 1950 W bei TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung VGES +/-20 V Temperatur unter Schaltbedingungen Tvj op -40 bis 125 °C
Verlustleistung P25 20.0 mW bei TC = 25°C
B-Wert B25/50 3375 K, berechnet mit R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 – 1/(298.15 K))]