Vídeo FF300R12MS4
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Infineon FF300R12MS4 é um IGBT de alta potência (Insulated Gate Bipolar Transistor) que suporta até 1200 volts e 300 amperes de corrente. Ele foi projetado para uso em aplicações industriais que exigem alta confiabilidade e eficiência, como sistemas de energia renovável, fontes de alimentação e acionamentos de motores.
FF300R12MS4 é construído com avançado IGBT tecnologia que fornece altas velocidades de comutação e baixas perdas no estado, resultando em dissipação de energia reduzida e maior eficiência do sistema. O FF300R12MS4 possui um sensor de temperatura integrado e proteção contra sobrecorrente, garantindo uma operação segura e confiável mesmo sob condições operacionais adversas.
Infineon Recursos do FF300R12MS4
Valores Nominais Máximos
Coletor-emissor Voltagem VCES 1200 V em Tvj = 25°C
Corrente contínua do coletor DC ICnom 300A em TC = 60°C, Tvj máx = 150°C
Corrente de coletor de pico repetitivo ICRM 600 A em tP = 1 ms
Dissipação de potência total Ptot 1950 W em TC = 25°C, Tvj máx = 150°C
Tensão de pico do emissor VGES +/-20 V Temperatura sob condições de comutação Tvj op -40 a 125 °C
Dissipação de energia P25 20.0 mW em TC = 25°C
Valor B B25/50 3375 K, calculado usando R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 – 1/(298.15 K))]