Vidéo FF300R12MS4
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Infineon FF300R12MS4 est un IGBT haute puissance (Insulated Gate Bipolar Transistor) qui gère jusqu'à 1200 volts et 300 ampères de courant. Il est conçu pour être utilisé dans des applications industrielles qui nécessitent une fiabilité et une efficacité élevées, telles que les systèmes d'énergie renouvelable, les alimentations et les entraînements de moteur.
FF300R12MS4 est construit avec des IGBT sans souci qui offre des vitesses de commutation élevées et de faibles pertes à l'état passant, ce qui entraîne une dissipation de puissance réduite et une efficacité améliorée du système. Le FF300R12MS4 dispose d'un capteur de température intégré et d'une protection contre les surintensités, il garantit un fonctionnement sûr et fiable même dans des conditions de fonctionnement difficiles.
Infineon Caractéristiques du FF300R12MS4
Valeurs nominales maximales
Collecteur-émetteur Tension VCES 1200 V à Tvj = 25°C
Courant de collecteur DC continu ICnom 300A à TC = 60°C, Tvj max = 150°C
Courant collecteur crête répétitif ICRM 600 A à tP = 1 ms
Puissance dissipée totale Ptot 1950 W à TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Tension crête grille-émetteur VGES +/-20 V Température dans les conditions de commutation Tvj op -40 à 125 °C
Puissance dissipée P25 20.0 mW à TC = 25°C
Valeur B B25/50 3375 K, calculée avec R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 – 1/(298.15 K))]