#FZ200R65KF2 Infineon FZ200R65KF2 Neu IGBT Module FZ200R65KF2 Infineon 6500V400AKollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-EmitterSpannung Tvj = -50°C bis 125°C, FZ200R65KF2 Bilder, FZ200R65KF2 Preis, #FZ200R65KF2 Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Teilenummer-Aliase: FZ200R65KF2
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT Module
Produkt: IGBT Siliziummodule
Konfiguration: Triple Common Emitter Common Gate
Sammler-Emitter Spannung VCEO max: 6500 V.
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Emitter-Spannung Tvj = -50°C bis 125°C
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Emitter-Spannung Tvj = -50°C bis 125°C
Kollektor-Dauergleichstrom Kontinuierlicher DC-Kollektorstrom TC = 80°C, Tvj = 150°C IC nom 200 A.
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 400 A.
Gesamt-Verlustleistung Gesamtleistungsverlust TC = 25°C, Tvj = 150°C Ptot 3,80 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-Emitter-Spitzenspannung VGES +/- 20 V.
IGBT-Module FZ200R65KF2 Infineon 6500V400AKollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-Emitterspannung Tvj = -50°C bis 125°C
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