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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Alias de n.° de pieza: FZ200R65KF2
Fabricante: Infineon
Categoria de nuestros producto: IGBT Módulos
Producto: IGBT Módulos de silicio
Configuración: Puerta común de emisor común triple
Colector- Emisor voltaje VCEO Máx .: 6500 V
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Voltaje de colector-emisor Tvj = -50 ° C a 125 ° C
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Voltaje de colector-emisor Tvj = -50 ° C a 125 ° C
Kollektor-Dauergleichstrom Corriente continua de colector CC TC = 80 ° C, Tvj = 150 ° C IC nominal 200 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Corriente de colector pico repetitiva tP = 1 ms ICRM 400 A
Gesamt-Verlustleistung Disipación total de energía TC = 25 ° C, Tvj = 150 ° C Ptot 3,80 kW
Puerta-emisor-Spitzenspannung Puerta-emisor voltaje pico VGES +/- 20 V
Módulos IGBT FZ200R65KF2 Infineon 6500V400AKollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emistervoltage Tvj = -50 ° C to 125 ° C
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