Infineon FZ200R65KF2 En stock

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Numéro de pièce Alias : FZ200R65KF2

Fabriquant: Infineon

Catégorie de produits: IGBT Modules

Produit: IGBT Modules de silicium

Configuration: porte commune triple émetteur commun

Collecteur-émetteur Tension VCEO max: 6500 V
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collecteur-émetteurvoltage Tvj = -50 ° C à 125 ° C

Kollektor-Dauergleichstrom Collecteur DC continu courant TC = 80 ° C, Tvj = 150 ° C IC nom 200 A

PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Collecteur de pic répétitif courant tP = 1 ms ICRM 400 A

Gesamt-Verlustleistung Puissance totale dissipation TC = 25 ° C, Tvj = 150 ° C Ptot 3,80 kW

Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeaktension VGES +/- 20 V

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