Die Geräte werden in Halbbrückenkonfiguration mit einem Einschaltwiderstand (R) geliefert DS (ein)) von 11 mΩ in einem EasyDUAL 1B-Gehäuse und 6 mΩ in einem EasyDUAL 2B-Gehäuse.
Mit Hochleistungskeramik eignen sich die 1200-V-Geräte für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte, einschließlich Solarsystemen, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, Hilfswechselrichtern, Energiespeichersystemen und Ladegeräten für Elektrofahrzeuge.
Die EasyDUAL-Module FF11MR12W1M1_B70 und FF6MR12W2M1_B70 sind mit dem neuesten CoolSiC ausgestattet MOSFET Technologie das sich durch eine überragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit auszeichnet. Mit der verbesserten Wärmeleitfähigkeit des DCB-Materials erhöht sich der Wärmewiderstand zum Kühlkörper (R thJH) kann um bis zu 40% gesenkt werden.
In Kombination mit den CoolSiC Easy-Modulen ermöglicht die neue AIN-Keramik eine Erhöhung der Ausgangsleistung oder eine Reduzierung der Sperrschichttemperaturen. Dies kann zu einer verbesserten Lebensdauer des Systems führen.
Der EasyDUAL CoolSiC MOSFET Die Module FF11MR12W1M1_B70 und FF6MR12W2M1_B70 sind ab sofort verfügbar. Weitere Informationen finden Sie unter www.infineon.com/easy. Das EasyDUAL wird auf der Virtual Power Conference von Infineon vorgestellt, die die „PCIM Europe Digital Days“ ergänzt.