Os dispositivos vêm em configuração de meia ponte com uma resistência no estado (R DS (ligado)) de 11 mΩ em um pacote EasyDUAL 1B e 6 mΩ em um pacote EasyDUAL 2B.
Com cerâmica de alto desempenho, os dispositivos de 1200 V são adequados para aplicações de alta densidade de energia, incluindo sistemas solares, fontes de alimentação ininterrupta, inversores auxiliares, sistemas de armazenamento de energia e carregadores de veículos elétricos.
Os módulos EasyDUAL FF11MR12W1M1_B70 e FF6MR12W2M1_B70 estão equipados com o CoolSiC mais recente mosfet tecnologia que apresenta confiabilidade superior de óxido de porta. Com a condutividade térmica melhorada do material DCB, a resistência térmica ao dissipador de calor (R thJH) pode ser reduzido em até 40%.
Combinada com os módulos CoolSiC Easy, a nova cerâmica AIN permite aumentar a potência de saída ou reduzir as temperaturas de junção. Isso pode levar a uma maior vida útil do sistema.
O EasyDUAL CoolSiC MOSFET os módulos FF11MR12W1M1_B70 e FF6MR12W2M1_B70 já estão disponíveis. Mais informações estão disponíveis em www.infineon.com/easy. O EasyDUAL será apresentado na Virtual Power Conference da Infineon, que complementa os “PCIM Europe digital days”.