Устройства имеют полумостовую конфигурацию с сопротивлением в открытом состоянии (R DS (на)) 11 мОм в корпусе EasyDUAL 1B и 6 мОм в корпусе EasyDUAL 2B.
Благодаря высокопроизводительной керамике устройства на 1200 В подходят для приложений с высокой плотностью мощности, включая солнечные системы, источники бесперебойного питания, вспомогательные инверторы, системы накопления энергии и зарядные устройства для электромобилей.
Модули EasyDUAL FF11MR12W1M1_B70 и FF6MR12W2M1_B70 оснащены новейшей системой CoolSiC. MOSFET technology который отличается превосходной надежностью затвор-оксида. Благодаря улучшенной теплопроводности материала DCB термическое сопротивление радиатора (R thJH) можно снизить до 40%.
В сочетании с модулями CoolSiC Easy новая керамика AIN позволяет увеличить выходную мощность или снизить температуру перехода. Это может привести к увеличению срока службы системы.
EasyDUAL CoolSiC МОП-транзистор модули FF11MR12W1M1_B70 и FF6MR12W2M1_B70 теперь доступны. Дополнительную информацию можно найти на сайте www.infineon.com/easy. EasyDUAL будет представлен на конференции Infineon Virtual Power Conference, которая дополняет «Цифровые дни PCIM Europe».