IR GA200HS60S Auf Lager

#GA200HS60S IR GA200HS60S Neues GA200HS60S Insulated Gate Bipolar Transistor, 470A I(C), 600V V(BR)CES, N-Kanal, INT-A-PAK-11; GA200HS60S, GA200HS60S Bilder, GA200HS60S Preis, #GA200HS60S Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/ga200hs60s.html

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Hersteller-Teilenummer: GA200HS60S
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Aktiv
Hersteller: Infineon TECHNOLOGIEN AG
Paketbeschreibung: FLANSCHHALTERUNG, R-XUFM-X11
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Infineon Technologies AG
Risikorang: 5.67
Zusätzliche Funktion: GERINGER LEITUNGSVERLUST
Gehäuseverbindung: ISOLIERT
Kollektorstrom-Max (IC): 470 A.
Sammler-Emitter Spannung-Max: 600 V.
Konfiguration: SERIE ANGESCHLOSSEN, CENTER TAP, 2 ELEMENTE
JESD-30-Code: R-XUFM-X11
Anzahl der Elemente: 2
Anzahl der Terminals: 11
Verpackungskörpermaterial: NICHT SPEZIFIZIERT
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: FLANSCHHALTERUNG
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): 260
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Aufputz: NR
Terminalform: NICHT SPEZIFIZIERT
Anschlussposition: OBER
Uhrzeit
Bipolartransistor mit isoliertem Gate, 470A I(C), 600V V(BR)CES, N-Kanal, INT-A-PAK-11