IR GA200HS60S Disponible

#GA200HS60S IR GA200HS60S Nuevo GA200HS60S Bipolar de puerta aislada Transistor, 470A I (C), 600V V (BR) CES, canal N, INT-A-PAK-11; Imágenes GA200HS60S, GA200HS60S, precio GA200HS60S, proveedor # GA200HS60S
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/ga200hs60s.html

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Número de parte del fabricante: GA200HS60S
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de IHS: Infineon TECNOLOGÍAS AG
Descripción del paquete: MONTAJE DE BRIDA, R-XUFM-X11
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Infineon Technologies AG
Rango de riesgo: 5.67
Característica adicional: BAJA PÉRDIDA DE CONDUCCIÓN
Conexión de la caja: AISLADO
Corriente máxima del colector (IC): 470 A
Colector-Emisor voltaje-Máx: 600 V
Configuración: SERIE CONECTADA, GRIFO CENTRAL, 2 ELEMENTOS
Código JESD-30: R-XUFM-X11
Número de elementos: 2
Número de terminales: 11
Material del cuerpo del paquete: SIN ESPECIFICAR
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: MONTAJE DE BRIDA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 260
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Estado de calificación: no calificado
Montaje en superficie: NO
Forma de terminal: SIN ESPECIFICAR
Posición terminal: SUPERIOR
Horario
Transistor bipolar de puerta aislada, 470A I (C), 600V V (BR) CES, canal N, INT-A-PAK-11