MasterGaN4-Geräte zielen auf eine hocheffiziente Energieumwandlung ab

STMicroelectronics MasterGaN4-Leistungspakete integrieren zwei symmetrische 650-V-Galliumnitrid (GaN) -Leistungstransistoren mit 225 mΩ RDS (ein) sowie optimierte Gate-Treiber und Schaltungsschutz, um das Design von Leistungsumwandlungsanwendungen bis zu 200 W zu vereinfachen.

Das MasterGaN4 vereinfacht das Design unter Verwendung von GaN-Leistungshalbleitern mit großer Bandlücke, indem es die komplexen Herausforderungen bei der Gate-Steuerung und beim Schaltungslayout beseitigt. Mit spannungsverträglichen Eingängen von 3.3 V bis 15 V kann die Steuerung erfolgen, indem die Gehäuse direkt an Hall-Effekt-Sensoren oder ein CMOS-Gerät wie einen Mikrocontroller, DSP oder FPGA angeschlossen werden.

Mithilfe der höheren Betriebsfrequenzen, die durch die überlegene Schaltleistung von GaN-Transistoren ermöglicht werden, sowie ihres erhöhten Wirkungsgrads, der die Wärmeableitung verringert, können Entwickler kleine magnetische Komponenten und Kühlkörper auswählen, um kompaktere und leichtere Netzteile, Ladegeräte und Adapter zu bauen.

MasterGaN4 eignet sich für die Verwendung in symmetrischen Halbbrückentopologien sowie in Soft-Switching-Topologien wie Active Clamp Fly-Back und Active Clamp Forward.

Das breite AngebotSpannung Der Bereich von 4.75 V bis 9.5 V ermöglicht den bequemen Anschluss an eine vorhandene Stromschiene. Der eingebaute Schutz vereinfacht das Design weiter, einschließlich Gate-Treiber-Verriegelungen, Low-Side- und High-Side-Unterspannungssperre (UVLO) und Übertemperaturschutz. Es gibt auch einen speziellen Abschaltstift.

Im Rahmen der Markteinführung stellt ST außerdem ein spezielles Prototyp-Board (EVALMASTERGAN4) vor, das einen vollständigen Satz von Funktionen bietet, um den MasterGaN4 mit einem einzelnen oder einem komplementären Ansteuersignal anzusteuern. Ein einstellbarer Totzeitgenerator ist ebenfalls vorhanden. Die Karte bietet Benutzern die Flexibilität, ein separates Eingangssignal oder PWM-Signal anzulegen, eine externe Bootstrap-Diode einzufügen, die Logik- und Gate-Treiber-Versorgungsschienen zu trennen und einen Low-Side-Shunt zu verwenden Widerstand für Spitzenstrommodus-Topologien.

MasterGaN4 ist jetzt in Produktion.