מכשירי MasterGaN4 מכוונים להמרת הספק יעילה גבוהה

חבילות הכוח STMicroelectronics MasterGaN4 משלבות שני טרנזיסטורי הספק סימפטריים של 650 וולט גליום ניטריד (GaN) עם 225mΩ RDS (פועל), לצד נהגי שער אופטימליים והגנת מעגלים לפשט את העיצוב של יישומי המרת הספק עד 200 וואט.

ה- MasterGaN4 מפשט את התכנון באמצעות מוליכים למחצה חשמליים של GaN עם פס רחב על ידי הסרת האתגרים המורכבים לבקרת שערים ומערכי מעגלים. עם כניסות הסובלות ממתחים מ -3.3 וולט ל -15 וולט, ניתן לשלוט על ידי חיבור החבילות ישירות לחיישני הול-אפקט או למכשיר CMOS כגון מיקרו-בקר, DSP או FPGA.

על ידי שימוש בתדרי ההפעלה הגבוהים יותר המופעלים על ידי ביצועי מיתוג מעולים של טרנזיסטורי GaN, כמו גם יעילותם המוגברת המפחיתה פיזור תרמי, יכולים המעצבים לבחור רכיבים מגנטיים קטנים וכדורי קירור לבניית ספקי כוח קומפקטיים וקלים יותר, מטענים ומתאמים.

MasterGaN4 מתאים לשימוש בטופולוגיות חצי גשר סימטריות, כמו גם בטופולוגיות מיתוג רך כגון מהלך אחורי של מהדק פעיל ומהדק פעיל קדימה.

ההיצע הרחב-מתח טווח, בין 4.75 וולט ל 9.5 וולט, מאפשר חיבור נוח למעקה כוח קיים. הגנה מובנית מפשטת עוד יותר את העיצוב, כולל נעילת מנעול שער, נעילת מתח תחתון בצד נמוך וגבוהה (UVLO) והגנה על טמפרטורת יתר. יש גם סיכת כיבוי ייעודית.

כחלק מההשקה מציגה ST גם לוח אב טיפוס ייעודי (EVALMASTERGAN4) המספק מערך שלם של תכונות להנעת ה- MasterGaN4 עם אות נהיגה יחיד או משלים. יש גם גנרטור זמן מתון מתכוונן. הלוח מעניק למשתמשים את הגמישות להחיל אות קלט נפרד או אות PWM, להכניס דיודת רצועת אתחול חיצונית, להפריד בין מסילות ההיגיון לבין אספקת מנהל ההתקן של השער, ולהשתמש באנט צד נמוך. נַגָד לטופולוגיות במצב שיא הנוכחי.

MasterGaN4 יוצר כעת.