Устройства MasterGaN4 нацелены на высокоэффективное преобразование энергии

Блоки питания STMicroelectronics MasterGaN4 объединяют два симметричных силовых транзистора из нитрида галлия (GaN) на 650 В с RDS (включено) 225 мОм, а также оптимизированные драйверы затвора и защиту схемы для упрощения проектирования приложений преобразования мощности до 200 Вт.

MasterGaN4 упрощает конструкцию с использованием силовых полупроводников GaN с широкой запрещенной зоной, устраняя сложные проблемы управления затвором и компоновкой схемы. Имея входы, устойчивые к напряжениям от 3.3 В до 15 В, им можно управлять, подключив блоки напрямую к датчикам Холла или устройству CMOS, например микроконтроллеру, DSP или FPGA.

Используя более высокие рабочие частоты, обеспечиваемые превосходными характеристиками переключения GaN-транзисторов, а также их повышенную эффективность, которая снижает тепловыделение, разработчики могут выбирать небольшие магнитные компоненты и радиаторы для создания более компактных и легких источников питания, зарядных устройств и адаптеров.

MasterGaN4 подходит для использования в симметричных полумостовых топологиях, а также в топологиях с мягкой коммутацией, например, с активным обратным захватом и активным фиксатором вперед.

Широкое предложение-напряжение диапазон от 4.75 В до 9.5 В обеспечивает удобное подключение к существующей шине питания. Встроенная защита еще больше упрощает конструкцию, включая блокировки драйвера затвора, блокировку низкого и высокого напряжения при пониженном напряжении (UVLO) и защиту от перегрева. Также имеется специальный вывод выключения.

В рамках запуска ST также представляет специальный прототип платы (EVALMASTERGAN4), который предоставляет полный набор функций для управления MasterGaN4 одним или дополнительным управляющим сигналом. Также предусмотрен регулируемый генератор мертвого времени. Плата дает пользователям возможность применять отдельный входной сигнал или сигнал ШИМ, вставлять внешний бутстрапный диод, разделять шины питания логики и драйвера затвора, а также использовать шунт нижнего плеча. резистор для топологий с максимальным током.

MasterGaN4 сейчас в разработке.