#PM30CSJ060 Mitsubishi PM30CSJ060 Neue PM30CSJ060 IGBT Array & Modul Transistor 30A/600V 47.6W DIP; PM30CSJ060 , PM30CSJ060 Bilder, PM30CSJ060 Preis, #PM30CSJ060 Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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PM30CSJ060 Beschreibung:
Mitsubishi Intelligente Kraft Module sind isolierte Basismodule, die für Leistungsschaltanwendungen ausgelegt sind, die bei Frequenzen von bis betrieben werden
20kHz. Eingebaute Steuerung Schaltungen bieten optimalen Gate-Antrieb und Schutz für die IGBT und Freilauf
Diodenleistungsgeräte.
Merkmale:
. Vollständige Ausgangsleistung Schaltung
. Gate-Laufwerk Schaltung
. Schutzlogik
- Kurz Schaltung
- Überstrom
- Übertemperatur
- Unter Spannung
Absolute Maximalwerte, Tj = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben
Verbindungstemperatur des Leistungsgeräts Tj -20 bis 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg -40 bis 125 ° C.
Gehäusetemperatur TC -20 bis 100 ° C.
Befestigungsdrehmoment, M4-Befestigungsschrauben — 0.98 ~ 1.47 N · m
Modulgewicht (typisch) - 60 Gramm
Versorgung Spannung Geschützt durch OC und SC (VD = 13.5 – 16.5V, Inverter Part) VCC(prot.) 400 Volt
Isolationsspannung (Hauptanschluss an Grundplatte, Wechselstrom 1 Min.) Viso 2500 Veff
IGBT Wechselrichter-Sektor
Kollektor-Emitter-Spannung (VD = 15 V, VCIN = 15 V) VCES 600 Volt
Kollektorstrom, (TC = 25°C) IC 10 Ampere
Kollektorspitzenstrom, (TC = 25 °C) ICP 20 Ampere
Versorgungsspannung (angelegt zwischen P – N) VCC 450 Volt
Versorgungsspannung, Überspannung (angelegt zwischen P – N) VCC(Überspannung) 500 Volt
Kollektorverlust PC 39 Watt
IGBT-Array & -Modul Transistor 30A/600V 47.6W DIP
Mitsubishi Intelligente Kraft Module sind isolierte Basismodule, die für Leistungsschaltanwendungen ausgelegt sind, die bei Frequenzen von bis betrieben werden
20kHz. Eingebaute Steuerung Schaltungen bieten optimalen Gate-Antrieb und Schutz für die IGBT und Freilauf
Diodenleistungsgeräte.
Merkmale:
. Vollständige Ausgangsleistung Schaltung
. Gate-Laufwerk Schaltung
. Schutzlogik
- Kurz Schaltung
- Überstrom
- Übertemperatur
- Unter Spannung
Absolute Maximalwerte, Tj = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben
Verbindungstemperatur des Leistungsgeräts Tj -20 bis 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg -40 bis 125 ° C.
Gehäusetemperatur TC -20 bis 100 ° C.
Befestigungsdrehmoment, M4-Befestigungsschrauben — 0.98 ~ 1.47 N · m
Modulgewicht (typisch) - 60 Gramm
Versorgung Spannung Geschützt durch OC und SC (VD = 13.5 – 16.5V, Inverter Part) VCC(prot.) 400 Volt
Isolationsspannung (Hauptanschluss an Grundplatte, Wechselstrom 1 Min.) Viso 2500 Veff
IGBT Wechselrichter-Sektor
Kollektor-Emitter-Spannung (VD = 15 V, VCIN = 15 V) VCES 600 Volt
Kollektorstrom, (TC = 25°C) IC 10 Ampere
Kollektorspitzenstrom, (TC = 25 °C) ICP 20 Ampere
Versorgungsspannung (angelegt zwischen P – N) VCC 450 Volt
Versorgungsspannung, Überspannung (angelegt zwischen P – N) VCC(Überspannung) 500 Volt
Kollektorverlust PC 39 Watt
IGBT-Array & -Modul Transistor 30A/600V 47.6W DIP