#PM30CSJ060 Mitsubishi PM30CSJ060 Nuevo PM30CSJ060 IGBT Matriz y Módulo Transistor 30 A/600 V 47.6 W DIP; PM30CSJ060, imágenes de PM30CSJ060, precio de PM30CSJ060, proveedor #PM30CSJ060
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Email: sales@shunlongwei.com
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PM30CSJ060 Descripción:
Mitsubishi Poder inteligente Módulos son módulos base aislados diseñados para aplicaciones de conmutación de potencia que operan a frecuencias
20kHz. Control incorporado Circuitos proporcionar un accionamiento de compuerta y una protección óptimos para el IGBT y rueda libre
Dispositivos de potencia de diodos.
Características:
. Potencia de salida completa Circuito
. Unidad de puerta circuito
. Lógica de protección
- Corto circuito
- Sobre corriente
- Exceso de temperatura
- bajo voltaje
Clasificaciones máximas absolutas, Tj = 25 ° C a menos que se especifique lo contrario
Temperatura de unión del dispositivo de potencia Tj -20 a 150 ° C
Temperatura de almacenamiento Tstg -40 a 125 ° C
Temperatura de funcionamiento de la caja TC -20 a 100 ° C
Par de montaje, tornillos de montaje M4: 0.98 ~ 1.47 N · m
Peso del módulo (típico): 60 gramos
Suministro voltaje Protegido por OC y SC (VD = 13.5 - 16.5 V, parte del inversor) VCC (prot.) 400 Voltios
Voltaje de aislamiento (terminal principal a placa base, CA 1 min.) Viso 2500 Vrms
IGBT Sector inversor
Voltaje colector-emisor (VD = 15V, VCIN = 15V) VCES 600 Voltios
Corriente del colector, (TC = 25 ° C) IC 10 amperios
Corriente máxima del colector, (TC = 25 ° C) ICP 20 amperios
Voltaje de suministro (aplicado entre P - N) VCC 450 Voltios
Voltaje de suministro, sobretensión (aplicada entre P - N) VCC (sobretensión) 500 voltios
Colector de disipación PC 39 Watts
Matriz y módulo IGBT Transistor 30 A/600 V 47.6 W DIP
Mitsubishi Poder inteligente Módulos son módulos base aislados diseñados para aplicaciones de conmutación de potencia que operan a frecuencias
20kHz. Control incorporado Circuitos proporcionar un accionamiento de compuerta y una protección óptimos para el IGBT y rueda libre
Dispositivos de potencia de diodos.
Características:
. Potencia de salida completa Circuito
. Unidad de puerta circuito
. Lógica de protección
- Corto circuito
- Sobre corriente
- Exceso de temperatura
- bajo voltaje
Clasificaciones máximas absolutas, Tj = 25 ° C a menos que se especifique lo contrario
Temperatura de unión del dispositivo de potencia Tj -20 a 150 ° C
Temperatura de almacenamiento Tstg -40 a 125 ° C
Temperatura de funcionamiento de la caja TC -20 a 100 ° C
Par de montaje, tornillos de montaje M4: 0.98 ~ 1.47 N · m
Peso del módulo (típico): 60 gramos
Suministro voltaje Protegido por OC y SC (VD = 13.5 - 16.5 V, parte del inversor) VCC (prot.) 400 Voltios
Voltaje de aislamiento (terminal principal a placa base, CA 1 min.) Viso 2500 Vrms
IGBT Sector inversor
Voltaje colector-emisor (VD = 15V, VCIN = 15V) VCES 600 Voltios
Corriente del colector, (TC = 25 ° C) IC 10 amperios
Corriente máxima del colector, (TC = 25 ° C) ICP 20 amperios
Voltaje de suministro (aplicado entre P - N) VCC 450 Voltios
Voltaje de suministro, sobretensión (aplicada entre P - N) VCC (sobretensión) 500 voltios
Colector de disipación PC 39 Watts
Matriz y módulo IGBT Transistor 30 A/600 V 47.6 W DIP