#PM30CSJ060 Mitsubishi PM30CSJ060 Nouveau PM30CSJ060 IGBT Tableau & Module Transistor DIP 30 A/600 V 47.6 W ; PM30CSJ060, images PM30CSJ060, prix PM30CSJ060, fournisseur #PM30CSJ060
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Email: sales@shunlongwei.com
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Description PM30CSJ060 :
Mitsubishi Puissance intelligente Modules sont des modules de base isolés conçus pour les applications de commutation de puissance fonctionnant à des fréquences
20 kHz. Contrôle intégré Circuits offrent un entraînement et une protection optimaux du portail IGBT et roue libre
dispositifs de puissance à diodes.
Caractéristiques :
. Puissance de sortie complète Circuit
. Commande de porte circuit
. Logique de protection
- Court circuit
- Plus de courant
- Surchauffe
- Sous Tension
Valeurs maximales absolues, Tj = 25 ° C sauf indication contraire
Température de jonction du dispositif d'alimentation Tj -20 à 150 ° C
Température de stockage Tstg -40 à 125 ° C
Température de fonctionnement du boîtier TC -20 à 100 ° C
Couple de montage, vis de montage M4 — 0.98 ~ 1.47 N · m
Poids du module (typique) - 60 grammes
Approvisionnement Tension Protégé par OC et SC (VD = 13.5 – 16.5 V, partie onduleur) VCC (protégé) 400 volts
Tension d'isolement (borne principale à plaque de base, CA 1 min.) Viso 2500 Vrms
IGBT Secteur Onduleur
Tension collecteur-émetteur (VD = 15V, VCIN = 15V) VCES 600 Volts
Courant du collecteur, (TC = 25°C) IC 10 ampères
Courant de pic du collecteur, (TC = 25 °C) ICP 20 ampères
Tension d'alimentation (appliquée entre P – N) VCC 450 volts
Tension d'alimentation, surtension (appliquée entre P – N) VCC (surtension) 500 volts
Dissipation du collecteur PC 39 Watts
Matrice et module IGBT Transistor DIP 30A/600V 47.6W
Mitsubishi Puissance intelligente Modules sont des modules de base isolés conçus pour les applications de commutation de puissance fonctionnant à des fréquences
20 kHz. Contrôle intégré Circuits offrent un entraînement et une protection optimaux du portail IGBT et roue libre
dispositifs de puissance à diodes.
Caractéristiques :
. Puissance de sortie complète Circuit
. Commande de porte circuit
. Logique de protection
- Court circuit
- Plus de courant
- Surchauffe
- Sous Tension
Valeurs maximales absolues, Tj = 25 ° C sauf indication contraire
Température de jonction du dispositif d'alimentation Tj -20 à 150 ° C
Température de stockage Tstg -40 à 125 ° C
Température de fonctionnement du boîtier TC -20 à 100 ° C
Couple de montage, vis de montage M4 — 0.98 ~ 1.47 N · m
Poids du module (typique) - 60 grammes
Approvisionnement Tension Protégé par OC et SC (VD = 13.5 – 16.5 V, partie onduleur) VCC (protégé) 400 volts
Tension d'isolement (borne principale à plaque de base, CA 1 min.) Viso 2500 Vrms
IGBT Secteur Onduleur
Tension collecteur-émetteur (VD = 15V, VCIN = 15V) VCES 600 Volts
Courant du collecteur, (TC = 25°C) IC 10 ampères
Courant de pic du collecteur, (TC = 25 °C) ICP 20 ampères
Tension d'alimentation (appliquée entre P – N) VCC 450 volts
Tension d'alimentation, surtension (appliquée entre P – N) VCC (surtension) 500 volts
Dissipation du collecteur PC 39 Watts
Matrice et module IGBT Transistor DIP 30A/600V 47.6W