#PMV31XN NXP PMV31XN Neuer Kleinsignal-Feldeffekt Transistor, PMV31XN-Bilder, PMV31XN-Preis, #PMV31XN-Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/pmv31xn.html
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Hersteller-Teilenummer: PMV31XN
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: NEXPERIA
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Nexperia
Risikorang: 5.73
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 20 V.
Drainstrom-Max (ID): 5.9 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.037 Ω
FET Technologie: METALLOXID HALBLEITER
JEDEC-95-Code: TO-236AB
JESD-30-Code: R-PDSO-G3
JESD-609-Code: e3
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): 260
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Oberflächenmontage: JA
Terminal-Finish: Zinn (Sn)
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: DUAL
Uhrzeit
Kleinsignal-Feldeffekttransistor
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: NEXPERIA
Packungsbeschreibung: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: Nexperia
Risikorang: 5.73
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 20 V.
Drainstrom-Max (ID): 5.9 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.037 Ω
FET Technologie: METALLOXID HALBLEITER
JEDEC-95-Code: TO-236AB
JESD-30-Code: R-PDSO-G3
JESD-609-Code: e3
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe: 1
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): 260
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Oberflächenmontage: JA
Terminal-Finish: Zinn (Sn)
Terminalform: GULL WING
Anschlussposition: DUAL
Uhrzeit
Kleinsignal-Feldeffekttransistor