#PMV31XN NXP PMV31XN Nouvel effet de champ de petit signal Transistor, photos PMV31XN, prix PMV31XN, fournisseur #PMV31XN
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/pmv31xn.html
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Numéro de pièce du fabricant: PMV31XN
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Ihs Fabricant: NEXPERIA
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G3
Code ECCN: EAR99
Fabricant : Nexperia
Classement de risque: 5.73
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 20 V
Courant de drain-Max (ID): 5.9 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.037 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL SEMI-CONDUCTEUR
Code JEDEC-95: TO-236AB
Code JESD-30: R-PDSO-G3
Code JESD-609: e3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Montage en surface: OUI
Finition du terminal : étain (Sn)
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor à effet de champ à petit signal
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Ihs Fabricant: NEXPERIA
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G3
Code ECCN: EAR99
Fabricant : Nexperia
Classement de risque: 5.73
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 20 V
Courant de drain-Max (ID): 5.9 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.037 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL SEMI-CONDUCTEUR
Code JEDEC-95: TO-236AB
Code JESD-30: R-PDSO-G3
Code JESD-609: e3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Montage en surface: OUI
Finition du terminal : étain (Sn)
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor à effet de champ à petit signal