#PMV31XN Hiệu ứng trường tín hiệu nhỏ mới NXP PMV31XN Transistor, Hình ảnh PMV31XN, giá PMV31XN, nhà cung cấp # PMV31XN
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/pmv31xn.html
-----------------------
Mã sản phẩm của nhà sản xuất: PMV31XN
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: NEXPERIA
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Mã ECCN: EAR99
Nhà sản xuất: Nexperia
Xếp hạng rủi ro: 5.73
Cấu hình: DUY NHẤT VỚI DIODE TÍCH HỢP
Phân tích DS Vôn-Tin: 20 V
Xả Hiện tại-Tối đa (ID): 5.9 A
Nguồn xả khi Điện trở-Tối đa: 0.037 Ω
FET Công nghệ: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Mã JEDEC-95: TO-236AB
Mã JESD-30: R-PDSO-G3
Mã JESD-609: e3
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 1
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: Tin (Sn)
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Transistor hiệu ứng trường tín hiệu nhỏ
Mã Rohs: Có
Mã vòng đời một phần: Đã lỗi thời
Nhà sản xuất Ihs: NEXPERIA
Mô tả gói hàng: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Mã ECCN: EAR99
Nhà sản xuất: Nexperia
Xếp hạng rủi ro: 5.73
Cấu hình: DUY NHẤT VỚI DIODE TÍCH HỢP
Phân tích DS Vôn-Tin: 20 V
Xả Hiện tại-Tối đa (ID): 5.9 A
Nguồn xả khi Điện trở-Tối đa: 0.037 Ω
FET Công nghệ: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Mã JEDEC-95: TO-236AB
Mã JESD-30: R-PDSO-G3
Mã JESD-609: e3
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm: 1
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: NHỎ OUTLINE
Nhiệt độ dòng chảy đỉnh (Cel): 260
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Gắn kết bề mặt: CÓ
Kết thúc đầu cuối: Tin (Sn)
Dạng thiết bị đầu cuối: GULL WING
Vị trí đầu cuối: KÉP
Thời gian
Transistor hiệu ứng trường tín hiệu nhỏ