Vishay Intertechnology hat den weltweit besten AEC-Q101-qualifizierten p-Kanal-80-V-TrenchFET vorgestellt MOSFET. Mit dem niedrigsten Einschaltwiderstand aller -80-V-p-Kanal-Geräte verbessert der neue Vishay Siliconix SQJA81EP die Leistungsdichte und Effizienz in Automobilanwendungen. In dem kompakten PowerPAK SO-5.13L-Einzelgehäuse mit 6.15 mm x 8 mm und Flügeltürern bietet das Gerät einen Einschaltwiderstand von maximal 17.3 mOhm / 14.3 mOhm, typisch für 10 V.
Der Einschaltwiderstand dieser Automobilklasse MOSFET ist 28 % kleiner als das nächstgelegene Konkurrenzgerät im DPAK-Paket – und bietet gleichzeitig einen um 50 % kleineren Platzbedarf – und 31 % weniger als Lösungen der vorherigen Generation. Diese Werte führen zu Energieeinsparungen, indem die Leistungsverluste durch Leitung minimiert werden und gleichzeitig eine höhere Leistung für eine verbesserte Leistungsdichte bereitgestellt wird. In Kombination mit der überlegenen Gate-Ladung bis zu 52 nC bei 10 V – was die Verluste durch die Gate-Ansteuerung verringert – ergibt sich die beste Gate-Ladezeit im On-Widerstand ihrer Klasse, ein kritischer FOM für Mosfets in Stromumwandlungsanwendungen eingesetzt.
Mit einem Hochtemperaturbetrieb bis + 175 ° C bietet das Gerät die Robustheit und Zuverlässigkeit, die für Automobilanwendungen wie Verpolungsschutz, Batteriemanagement, Hochseitenlastumschaltung und LED-Beleuchtung erforderlich sind. Die Flügeltürer des Geräts bieten eine verbesserte AOI-Fähigkeit und einen mechanischen Spannungsabbau für eine bessere Zuverlässigkeit auf Platinenebene.
Die Nennspannung des Geräts von -80 V gibt den Sicherheitsabstand an, der zur Unterstützung mehrerer gängiger Eingaben erforderlich ist Spannung Schienen, einschließlich 12V-, 24V- und 48V-Systeme. Die erhöhte Leistungsdichte des MOSFET spart PCB-Platz in diesen Systemen, indem die Anzahl der parallel benötigten Komponenten verringert wird. Als p-Kanal-Vorrichtung ermöglicht die Vorrichtung auch einfachere Gate-Ansteuerungsdesigns, die nicht die Ladungspumpe benötigen, die von ihren n-Kanal-Gegenstücken benötigt wird. Der Blei-freie (Pb) -freie, halogenfreie und RoHS-konforme MOSFET ist zu 100% Rg- und UIS-getestet.