Vishay Intertechnology heeft naar eigen zeggen 's werelds beste AEC-Q101 gekwalificeerde p-channel -80V TrenchFET geïntroduceerd mosfet Met de laagste aan-weerstand van elk -80V p-kanaals apparaat, verbetert de nieuwe Vishay Siliconix SQJA81EP de vermogensdichtheid en efficiëntie in automobieltoepassingen. In het compacte PowerPAK SO-5.13L-pakket van 6.15 mm x 8 mm met gullwing-kabels biedt het apparaat een weerstand tot maximaal 17.3 mOhm / typisch 14.3 mOhm bij 10 V.
De on-weerstand van deze auto-kwaliteit MOSFET is 28% lager dan het dichtstbijzijnde concurrerende apparaat in het DPAK-pakket – terwijl het een 50% kleinere voetafdruk biedt – en 31% lager dan oplossingen van de vorige generatie. Deze waarden worden omgezet in energiebesparingen door vermogensverliezen door geleiding te minimaliseren en tegelijkertijd een hogere output te bieden voor een betere vermogensdichtheid. Gecombineerd met zijn superieure poortlading tot 52 nC bij 10 V – wat de verliezen bij het aansturen van de poort vermindert – is het resultaat de beste in zijn klasse, poortlaadtijden aan-weerstand, een kritische FOM voor mosfets gebruikt in toepassingen voor stroomconversie.
Met werking bij hoge temperaturen tot + 175 ° C, biedt het apparaat de robuustheid en betrouwbaarheid die nodig zijn voor automobieltoepassingen, zoals bescherming tegen omgekeerde polariteit, batterijbeheer, schakelen met hoge zijbelasting en LED-verlichting. De vleugelkabels van het apparaat bieden verhoogde AOI-mogelijkheden en bieden mechanische spanningsvermindering voor een betere betrouwbaarheid op boardniveau.
De -80V-classificatie van het apparaat geeft de veiligheidsmarge die nodig is om verschillende populaire invoer te ondersteunen spanning rails, inclusief 12V-, 24V- en 48V-systemen. De verhoogde vermogensdichtheid van de MOSFET bespaart PCB-ruimte in die systemen door het aantal componenten dat parallel nodig is te verminderen. Als een p-kanaals apparaat, vergemakkelijkt het apparaat ook eenvoudigere poortaandrijfontwerpen die de ladingspomp niet nodig hebben die vereist is voor zijn n-kanaals tegenhangers. Loodvrij (Pb), halogeenvrij en RoHS-conform, de MOSFET is 100% Rg en UIS getest.