#PM100CSD060 Powerex PM100CSD060 Neuer Leistungstreiber Modul IGBT 3-Phasen-600-V-100-A-Modul; PM100CSD060, PM100CSD060 Bilder, PM100CSD060 Preis, #PM100CSD060 Lieferant
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Email: sales@shunlongwei.com
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PM100CSD060 Beschreibung
FEATURE
a) Einführung neuer planarer 4. Generation IGBT Chip, dessen Leistung durch einen 1-μm-Feinregelprozess verbessert wird.
Beispiel: typisch VCE(sat)=1.7 Vb)
b) Verwendung einer neuen Diode, die entwickelt wurde, um weiche Reverse-Recovery-Eigenschaften zu erhalten.
c) Beibehaltung der Gehäusekompatibilität. Die Anordnung/Position sowohl des Anschlussstifts als auch der Befestigungsbohrung ist dieselbe wie beim IPM der S-Serie der 3. Generation.
• 3φ 100A, 600V Current-Sense-IGBT für 15-kHz-Umschaltung
• Monolithische Gate-Ansteuerungs- und Schutzlogik
• Erkennung, Schutz und Statusanzeige Schaltungen für Überstrom, Kurz-Schaltung, Übertemperatur & Unter-Spannung(P-Fo verfügbar von Oberschenkelgeräten)
• Akustische geräuschlose Wechselrichteranwendung der 11-kW-Klasse
Maximale Bewertungen und Eigenschaften
Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Sammler-Emitter Spannung Vces: 600V
Gate-Emitter-Spannung VGES: ± 20V
Kollektorstrom IC: 100A
Kollektorstrom Icp: 200A
Verlustleistung des Kollektors Pc: 328W
Kollektor-Emitter-Spannung VCES: 2500V
Betriebssperrschichttemperatur Tj: -20~+150°C
Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.
Betriebstemperatur des Modulgehäuses TC -20~+100°C
Drehmoment der Befestigungsschraube 3.5 * 1 N · m
Gewicht 560g