Powerex PM100CSD060 재고

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PM100CSD060 설명
FEATURE
a) 새로운 4세대 Planar 채택 IGBT 1μm의 파인 룰 공정으로 성능을 향상시킨 칩.
예를 들어, 일반적인 VCE(sat)=1.7Vb)
b) 부드러운 역회복 특성을 갖도록 설계된 새로운 다이오드 사용.
c) 패키지 호환성 유지. 터미널 핀과 장착 구멍의 레이아웃/위치는 S-시리즈 3세대 IPM과 동일합니다.
• 3kHz 스위칭을위한 100φ 600A, 15V 전류 감지 IGBT
• 모 놀리 식 게이트 드라이브 및 보호 로직
• 감지, 보호 및 상태 표시 회로 과전류용, 단락용회로, 과열 및 미달전압(P-Fo는 상부 다리 장치에서 사용 가능)
• 소음이없는 11kW 급 인버터 애플리케이션
최대 등급 및 특성
. 절대 최대 정격 (지정되지 않은 경우 Tc = 25 ° C)
수집기 방출기 전압 Vces : 600V
게이트 이미 터 전압 VGES : ± 20V
수집기 전류 IC: 100A
콜렉터 전류 Icp : 200A
수집기 전력 흩어지기 Pc : 328W
Collector-Emitter 전압 VCES : 2500V
작동 접합 온도 Tj: -20~+150°C
보관 온도 Tstg : -40 ~ + 125 ° C
모듈 케이스 작동 온도 TC -20~+100°C
장착 나사 토크 3.5 * 1 N · m
무게 560g