PowerexPM100CSD060在庫あり

更新: 14 年 2023 月 XNUMX 日 タグ:icIGBT

 

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Email: sales@shunlongwei.com
 
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PM100CSD060の説明
特徴
a)新しい第4世代平面の採用 IGBT 1μmのファインルールプロセスにより性能が向上したチップ。
たとえば、一般的なVCE(sat)= 1.7Vb)
b)ソフト逆回復特性が得られるように設計された新しいダイオードを使用する。
c)パッケージの互換性を維持します。端子ピンと取り付け穴の両方のレイアウト/位置は、Sシリーズの第3世代IPMと同じです。
•3kHzスイッチング用100φ600A、15V電流検出IGBT
•モノリシックゲートドライブおよび保護ロジック
•検出、保護、ステータス表示 サーキット 過電流、短絡の場合-回路、過熱および過小-電圧(P-Foは上肢デバイスから入手可能)
•音響ノイズのない11kWクラスのインバーターアプリケーション
最大定格と特性
。絶対最大定格(特に指定のない限り、Tc = 25°C)
コレクター-エミッター 電圧 Vces:600V
ゲート-エミッタ間電圧VGES:±20V
コレクター電流 IC:100A
コレクタ電流Icp:200A
コレクタ消費電力Pc:328W
コレクタ-エミッタ間電圧VCES:2500V
動作接合部温度Tj:-20〜 + 150°C
保管温度Tstg:-40〜 + 125°C
モジュールケース動作温度TC-20〜+100°C
取付ねじトルク3.5 * 1N・m
560g重量