Dürfen. 18. 2023 /SemiMedia/ – Renesas Electronics kündigte Pläne an, die Produktionskapazität von Automobilhalbleitern bis 10 um 2026 % vom aktuellen Niveau aus zu erhöhen.
Dem Plan zufolge wird Renesas Electronics etwa 48 Milliarden Yen in die Installation von Fertigungsanlagen in drei Fabriken in Japan investieren. Darüber hinaus werden sich die Produktionslinien in Japan gegenseitig unterstützen, um eine stabile Versorgung mit Halbleitern zu gewährleisten.
Dem Plan zufolge wird die Ibaraki-Fabrik von Renesas im Februar 2025 40-nm-Fertigungsanlagen einführen. Die Kofu-Fabrik in der Präfektur Yamanashi wird im August 2026 Geräte zur Dünnschichtabscheidung einführen und hat die Möglichkeit, die Ausrüstung der Ibaraki-Fabrik im Notfall innerhalb eines Monats zu importieren.
Die Kofu-Fabrik wurde 2014 geschlossen, das Unternehmen plant jedoch, den Betrieb im ersten Halbjahr 2024 aufgrund der gestiegenen Nachfrage nach Leistungshalbleitern für Elektrofahrzeuge (EV) wieder aufzunehmen.
Darüber hinaus wird die Kawajiri-Fabrik in der Präfektur Kumamoto die 130-nm-Automobiltechnik einführen Halbleiter Fertigungsanlagen bis März 2025 mit einer monatlichen Produktionskapazität von 10,000 Siliziumwafern mit einem Durchmesser von 12 Zoll. Nach der Einführung wird die Kawajiri-Fabrik über eine monatliche Produktionskapazität von 29,100 8-Zoll-Siliziumwafern verfügen. Die kombinierte Produktionskapazität der drei Fabriken entspricht mehr als 10 % der gesamten Produktionskapazität von Renesas Electronics.
Mehr sehen : IGBT-Module | LCD-Displays | Elektronische Komponenten