Maggio. 18, 2023 /Semimedia/ — Renesas Electronics ha annunciato l'intenzione di aumentare ulteriormente la capacità produttiva di semiconduttori per autoveicoli del 10% rispetto al livello attuale entro il 2026.
Secondo il piano, Renesas Electronics investirà circa 48 miliardi di yen per installare apparecchiature di produzione in tre stabilimenti in Giappone. Inoltre, le linee di produzione in Giappone si sosterranno a vicenda per ottenere una fornitura stabile di semiconduttori.
Secondo il piano, nel febbraio 2025, la fabbrica Ibaraki di Renesas introdurrà apparecchiature di produzione a 40 nm. La fabbrica di Kofu nella prefettura di Yamanashi introdurrà l'attrezzatura per la deposizione di film sottili nell'agosto 2026 e ha la capacità di importare l'attrezzatura della fabbrica di Ibaraki entro un mese in caso di emergenza.
La fabbrica di Kofu è stata chiusa nel 2014, ma la società prevede di riavviare le operazioni nella prima metà del 2024 a causa dell'aumento della domanda di semiconduttori di potenza per veicoli elettrici (EV).
Inoltre, la fabbrica di Kawajiri nella prefettura di Kumamoto introdurrà il settore automobilistico a 130 nm Semiconduttore apparecchiature di produzione entro marzo 2025, con una capacità produttiva mensile di 10,000 wafer di silicio da 12 pollici di diametro. Dopo l'introduzione, la fabbrica di Kawajiri avrà una capacità produttiva mensile di 29,100 wafer di silicio da 8 pollici. La capacità produttiva combinata delle tre fabbriche è equivalente a più del 10% della capacità produttiva totale di Renesas Electronics.
Vedi di più: Moduli IGBT | display LCD | Componenti elettronici