Samsung hat mit der Massenproduktion von 14 nm begonnen DRAM unter Verwendung von EUV Technologie.
Nachdem das Unternehmen im März letzten Jahres seinen ersten EUV-DRAM ausgeliefert hatte, hat Samsung die Anzahl der EUV-Schichten auf fünf erhöht, um die heutigen DDR5-Geräte zu liefern.
Da DRAM weiterhin den 10-nm-Bereich herunterskaliert, wird die EUV-Technologie immer wichtiger, um die Strukturierungsgenauigkeit für höhere Leistung und höhere Ausbeuten zu verbessern.
Durch das Aufbringen von fünf EUV-Schichten auf seinen 14-nm-DRAM hat Samsung die höchste Bitdichte erreicht und gleichzeitig die Wafer-Gesamtproduktivität um etwa 20 % gesteigert.
Darüber hinaus kann der 14-nm-Prozess dazu beitragen, den Stromverbrauch im Vergleich zum DRAM-Knoten der vorherigen Generation um fast 20 % zu senken.
Der 5-nm-DRAM von Samsung nutzt den neuesten DDR14-Standard und bietet Geschwindigkeiten von bis zu 7.2 Gbit/s, was mehr als dem Doppelten der DDR4-Geschwindigkeit von bis zu 3.2 Gbit/s entspricht.
Samsung plant, sein 14-nm-DDR5-Portfolio zu erweitern, um Rechenzentrums-, Supercomputer- und Unternehmensserveranwendungen zu unterstützen. Außerdem erwartet Samsung, seine 14-nm-DRAM-Chipdichte auf 24 Gb zu erhöhen.