Samsung telah mula menghasilkan 14nm secara besar-besaran DRAM menggunakan EUV teknologi.
Berikutan penghantaran DRAM EUV pertama syarikat pada bulan Mac tahun lalu, Samsung telah meningkatkan jumlah lapisan EUV kepada lima untuk menyampaikan peranti DDR5 hari ini.
Ketika DRAM terus menurunkan skala 10nm, teknologi EUV menjadi semakin penting untuk meningkatkan ketepatan corak untuk prestasi yang lebih tinggi dan hasil yang lebih tinggi.
Dengan menerapkan lima lapisan EUV pada DRAM 14nmnya, Samsung telah mencapai kepadatan bit tertinggi sambil meningkatkan produktiviti wafer secara keseluruhan sekitar 20%.
Selain itu, proses 14nm dapat membantu menurunkan penggunaan kuasa hampir 20% berbanding dengan nod DRAM generasi sebelumnya.
Dengan memanfaatkan standard DDR5 terkini, DRAM 14nm Samsung akan memberikan kelajuan hingga 7.2 Gbps, iaitu lebih daripada dua kali kelajuan DDR4 hingga 3.2Gbps.
Samsung merancang untuk mengembangkan portfolio DDR14 5nm untuk menyokong aplikasi pusat data, komputer super dan perusahaan. Juga, Samsung menjangkakan akan meningkatkan ketumpatan cip DRAM 14nm menjadi 24Gb.