Samsung начала массовое производство по 14-нм техпроцессу Динамическое ОЗУ с использованием EUV technology.
После поставки первой EUV DRAM в марте прошлого года компания Samsung увеличила количество слоев EUV до пяти, чтобы выпускать современные устройства DDR5.
Поскольку DRAM продолжает сокращать диапазон 10 нм, технология EUV становится все более важной для повышения точности структурирования для повышения производительности и увеличения производительности.
Применив пять слоев EUV к своей 14-нм DRAM, Samsung добилась высочайшей битовой плотности, одновременно повысив общую производительность пластин примерно на 20%.
Кроме того, 14-нм техпроцесс может помочь снизить энергопотребление почти на 20% по сравнению с узлом DRAM предыдущего поколения.
Используя новейший стандарт DDR5, 14-нм DRAM от Samsung обеспечит скорость до 7.2 Гбит/с, что более чем в два раза превышает скорость DDR4 (до 3.2 Гбит/с).
Samsung планирует расширить свой портфель 14-нм памяти DDR5 для поддержки приложений для центров обработки данных, суперкомпьютеров и корпоративных серверов. Кроме того, Samsung планирует увеличить плотность своих 14-нм чипов DRAM до 24 Гб.