#SKIIP32NAB12 Semikron SKIIP32NAB12 Neue Semikron Modul SKIIP32NAB12, SKIIP32NAB12 Bilder, SKIIP32NAB12 Preis, #SKIIP32NAB12 Lieferant
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E-Mail: sales@shunlongwei.com
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Optionen
.auch mit leistungsstarkem Chopper erhältlich. Die Eigenschaften entnehmen Sie bitte dem Wechselrichter IGBT
1) Theatsink = 25° C, Falls nicht anders angegeben
1) Theatsink = 25° C, Falls nicht anders angegeben
2) CAL = Controlled Axial Lifetime Technologie(weiche und schnelle Erholung)
Für Diagramme des Chopper IGBT wenden Sie sich bitte an SKiiP30NAB12T10
Für Diagramme des Chopper IGBT wenden Sie sich bitte an SKiiP30NAB12T10
Maximale Bewertungen und Eigenschaften
Absolute Höchstwerte (Tc = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)
Sammler-Emitter Spannung Vces: 1200V
Gate-Emitter-Spannung VGES: ± 20V
Kollektorstrom IC: 65A
Kollektorstrom Icp: 130A
Verlustleistung des Kollektors Pc: 180W
Kollektor-Emitter-Spannung VCES: 2500V
Betriebsübergangstemperatur Tj: + 150 ° C.
Lagertemperatur Tstg: -40 bis + 125 ° C.
Semikron-Modul SKIIP32NAB12
Shunlongwei prüfte jeden SKIIP32NAB12 vor dem Versand, alle SKIIP32NAB12 mit 6 Monaten Garantie.