#SKIIP32NAB12 Semikron SKIIP32NAB12 Nuovo Semikron Moduli SKIIP32NAB12, immagini SKIIP32NAB12, prezzo SKIIP32NAB12, fornitore #SKIIP32NAB12
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Opzioni
.disponibile anche con potente chopper. Per le caratteristiche fare riferimento a Inverter IGBT
1) Theatsink = 25° C, se non diversamente specificato
1) Theatsink = 25° C, se non diversamente specificato
2) CAL = Durata assiale controllata Tecnologia(recupero morbido e veloce)
Per i diagrammi dell'IGBT Chopper, consultare SKiiP30NAB12T10
Per i diagrammi dell'IGBT Chopper, consultare SKiiP30NAB12T10
Valutazioni e caratteristiche massime
Valori nominali massimi assoluti (Tc = 25 ° C a meno che non sia specificato)
Collettore-Emettitore voltaggio Vces: 1200V
Tensione Gate-Emitter VGES: ± 20V
Corrente del collettore IC: 65A
Corrente di collettore Icp: 130A
Dissipazione potenza collettore Pc: 180W
Tensione collettore-emettitore VCES: 2500V
Temperatura di giunzione di esercizio Tj: + 150 ° C
Temperatura di stoccaggio Tstg: da -40 a + 125 ° C
Modulo Semikron SKIIP32NAB12
Shunlongwei ha ispezionato ogni SKIIP32NAB12 prima della spedizione, tutti gli SKIIP32NAB12 con 6 mesi di garanzia.