#SKIIP32NAB12 Semikron SKIIP32NAB12 Nouveau Semikron Module SKIIP32NAB12, photos SKIIP32NAB12, prix SKIIP32NAB12, fournisseur #SKIIP32NAB12
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Options
. également disponible avec hacheur puissant. Pour les caractéristiques, veuillez vous référer à Inverter IGBT
1) Theatsink = 25° C, sauf indication contraire
1) Theatsink = 25° C, sauf indication contraire
2) CAL = durée de vie axiale contrôlée Technologie(récupération douce et rapide)
Pour les schémas du Chopper IGBT, veuillez vous référer à SKiiP30NAB12T10
Pour les schémas du Chopper IGBT, veuillez vous référer à SKiiP30NAB12T10
Valeurs et caractéristiques maximales
Valeurs maximales absolues (Tc = 25 ° C sauf indication contraire)
Collecteur-émetteur Tension Vces: 1200 V
Tension de grille-émetteur VGES: ± 20V
Courant de collecteur IC: 65A
Courant de collecteur Icp: 130A
Dissipation de puissance du collecteur Pc: 180W
Tension collecteur-émetteur VCES: 2500V
Température de jonction de fonctionnement Tj: + 150 ° C
Température de stockage Tstg: -40 à + 125 ° C
Module Semikron SKIIP32NAB12
Shunlongwei inspecté chaque SKIIP32NAB12 avant l'expédition, tous les SKIIP32NAB12 avec une garantie de 6 mois.