-----------------------
E-Mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
SKM195GB124DN Beschreibung
Eigenschaften
.Nchannel,homogene Siliziumstruktur NPT-IGBT(Kein Punch-Through)
Niedrige Sättigungsspannung
Fall mit niedriger Induktivität
Niedriger Schwanzstrom bei geringer Temperaturabhängigkeit
Hohe Kurzschlussfähigkeit, selbstlimitierend auf 6 * Icnom
Schnelle und weiche inverse CAL-Dioden
Ohne harten Schimmel
.Großer Abstand (10 mm) und Kriechstrecken (20 mm)
Typische Anwendungen
.Schalten (nicht für den linearen Gebrauch)
.Schaltmodus-Netzteile
.DC Servo- und Robotertreiber
Wechselrichter
.DC Chopper
.AC Motordrehzahlregelung
.UPS Unterbrechungsfreie Stromversorgung
.elektronisch(auch tragbare) Schweißer
Tj = 125 ℃
Vce = 600 V.
Vge =± 15 V
IC= 150A
Tc = 25℃
SKM195GB124DN Leistungstransistormodul
Shunlongwei prüfte jeden SKM195GB124DN vor dem Versand, alle SKM195GB124DN mit 6 Monaten Garantie.