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SKM195GB124DN Descripción
Caracteristicas
.Nchannel, estructura homogénea de silicio NPT-IGBT(No perforado)
.Bajo voltaje de saturación
.Caso de baja inductancia
.Baja corriente de cola con dependencia de baja temperatura.
.Alta capacidad de cortocircuito, autolimitante a 6 * Icnom
Diodos CAL inversos rápidos y suaves
.Sin moho duro
.Gran espacio libre (10 mm) y distancias de fuga (20 mm)
Aplicaciones típicas
.Conmutación (no para uso lineal)
.Fuentes de alimentación de modo conmutado
.DC servo y controlador de robot
.Inversores
.DC picadores
Control de velocidad del motor .AC
.UPS Fuentes de alimentación ininterrumpidas
.Electrónicosoldadores (también portátiles)
Tj = 125 ℃
Vce = 600 V
Vge =± 15V
IC= 150A
Tc = 25℃
Módulo de transistor de potencia SKM195GB124DN
Shunlongwei inspeccionó todos los SKM195GB124DN antes del envío, todos los SKM195GB124DN con 6 meses de garantía.