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SKM195GB124DN Descrizione
Caratteristiche
.Nchannel, struttura omogenea del silicio NPT-IGBT(Non punch through)
.Bassa tensione di saturazione
. Cassa a bassa induttanza
.Bassa corrente di coda con bassa dipendenza dalla temperatura
. Alta capacità di cortocircuito, auto limitante a 6 * Icnom
Diodi CAL inversi veloci e morbidi
.Senza muffa dura
.Ampio spazio libero (10 mm) e distanza di dispersione (20 mm)
Applicazioni tipiche
.Commutazione (non per uso lineare)
.Alimentatori switching
.DC servo e driver del robot
.Inverter
.DC tritatutto
.Controllo della velocità del motore AC
.UPS Uninterruptable power supply
.elettronico(anche portatili) saldatrici
Tj = 125 ℃
Vce = 600V
Vge =± 15V
IC= 150A
Tc = 25℃
Modulo transistor di potenza SKM195GB124DN
Shunlongwei ha ispezionato ogni SKM195GB124DN prima della spedizione, tutti gli SKM195GB124DN con 6 mesi di garanzia.