Fuji 1D500A-030 Merkmale: Anwendungen: Maximale Nennwerte: Montage: Empfohlene Werte für Schraubendrehmoment: Gewicht:
Auf der jüngsten PCIM Europe 2023-Konferenz stellten mehrere Hersteller von Siliziumkarbid-Geräten und Universitätsforscher die Leistungsmerkmale von SiC-MOSFETs bei der Nennspannung von 3.3 kV vor und teilten sie mit. Diese Spannung wird zunehmend als Schlüssel für verschiedene zukünftige Anwendungen angesehen, wie z. B. die Stromumwandlung von Mittelspannungsnetzen auf eine Zwischenkreisspannung von 1,500 V, Photovoltaik und erneuerbare Windenergie […]
Der private und gewerbliche Verkehr trägt derzeit zu fast einem Drittel der Treibhausgasemissionen bei. Einige Hindernisse für die breitere Einführung von Elektrofahrzeugen (EVs) sind die Batteriereichweite, die Ladezeit und die Ladeinfrastruktur. Standards für Personenkraftwagen (EVs) sind jetzt besser definiert, da die Task Force der Charging Interface Initiative (CharIN) das Combined Charging System (CCS) entwickelt […]
Gehäuse mit Schraubklemmen, Isolationsspannung von 3000 V, planar passivierte Chips, Anwendungen: Eingangsgleichrichter für PWM-Wandler, Eingangsgleichrichter für Schaltnetzteile (SMPS), Aufladen des Softstart-Kondensators, Vorteile: einfache Montage mit zwei Schrauben, Platz- und Gewichtsersparnis, verbesserte Temperatur- und Leistungszyklen, maximale Nennwerte und Eigenschaften (Tc = 25 °). C, sofern nicht anders angegeben):Kollektor-Emitter-Spannung (Vces): 1600VGate-Emitter-Spannung (VGES): ±20VKollektorstrom (IC): 500AKollektorstrom (Icp): 1000AKollektorleistung […]
Das Mitsubishi CM1000E4C-66R ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit den folgenden Spezifikationen und Merkmalen: Anwendungen: Zusätzliche Informationen:
Das MG500Q1US1-Leistungsmodul wird von Toshiba hergestellt. Modell: MG500Q1US1 Typ: IGBT-Leistungsmodul. Konfiguration: Einzel-IGBT Das Leistungsmodul ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und besteht aus einem einzelnen IGBT, der in ein Modul integriert ist. Wird in Motoren verwendet […]
Das Semikron SEMiX353GB126V1 ist ein von Semikron hergestelltes IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor). Hier sind die Merkmale und Spezifikationen des Moduls: Merkmale: Typische Anwendungen: Bemerkungen: Maximale Nennwerte und Eigenschaften: Gewicht: 350 g Diese Spezifikationen liefern Informationen über die Spannung, den Strom, die Verlustleistung, die Temperaturwerte, das Drehmoment der Befestigungsschrauben, das Gewicht usw. des Moduls relevante Details.
Hier sind die Merkmale und maximalen Nennwerte/Eigenschaften des Semikron SKM500GA124DH6 IGBT-Moduls:Eigenschaften:MOS-Eingang (spannungsgesteuert): Das Modul nutzt einen Mosfet-basierten Eingang zur Spannungssteuerung.N-Kanal, homogenes Si: Die IGBTs im Modul sind aus vom N-Kanal-Typ und aus homogenem Silizium. Gehäuse mit niedriger Induktivität: Das Modul ist mit einem Gehäuse mit niedriger Induktivität ausgestattet, um […]
Schaltanwendungen und verfügt über fortschrittliche Technologien für einen effizienten und zuverlässigen Betrieb. Hersteller: Infineon Technologies Teilenummer: FZ1000R16KF4 Leistungsmodultyp: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Maximaler Kollektorstrom (IC): 1000 A Kollektor-Emitter-Spannung (VCE): 1600 V Gesamtverlustleistung (Ptot) : 9600WGate-Emitter-Spitzenspannung (VGES): +/-20VTemperaturbereich: -40 bis 150°CGewicht: 800gKonfiguration: Einzelner IGBT-ChipGehäusetyp: ModulMontageart: SchraubmontageHohe BelastbarkeitGeringe Leitungs- und Schaltfähigkeit […]