Schaltanwendungen und verfügt über fortschrittliche Technologien für einen effizienten und zuverlässigen Betrieb.
Hersteller: Infineon Technologies
Teilenummer: FZ1000R16KF4
Power Modul Typ: IGBT (Bipolar mit isoliertem Gate Transistor)
Maximaler Kollektorstrom (IC): 1000A
Kollektor-Emitter-Spannung (VCE): 1600 V
Gesamtverlustleistung (Ptot): 9600 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung (VGES): +/-20 V
Temperaturbereich: -40 bis 150 °C
Gewicht: 800g
Konfiguration: Single IGBT Chip
Pakettyp: Modul
Montageart: Schraubmontage
Hohe Belastbarkeit
Geringe Leitungs- und Schaltverluste
Hoher thermischer Wirkungsgrad bei geringem Wärmewiderstand
Ausgelegt für Hochfrequenzbetrieb
Geeignet für verschiedene Anwendungen, einschließlich Motorsteuerung, Netzteile und Wechselrichter