Semikron SKiM304GD12T4D IGBT-Modul: Erweiterte Leistungsleistung Das Semikron SKiM304GD12T4D IGBT-Modul bietet modernste Funktionen, die auf fortschrittliche Leistungsanwendungen zugeschnitten sind. Dieses Modul nutzt die Trenchgate-Technologie und bietet außergewöhnliche Leistung in verschiedenen Szenarien. Sein Vce(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten sorgt für einen stabilen Betrieb bei Temperaturschwankungen, während seine bemerkenswerte Kurzschlussfähigkeit zu seiner Vielseitigkeit beiträgt. Merkmale Typische Anwendungen […]
Das Toshiba MG200H1AL2 ist ein robustes IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für Hochleistungsschaltanwendungen entwickelt wurde. Hier finden Sie einen kurzen Überblick über die wichtigsten Funktionen und Spezifikationen: Beschreibung: Das MG200H1AL2 ist ein Transistormodul mit einem Nennstrom von 200 Ampere und einer Nennspannung von 450 Volt. Es wiegt 210 Gramm (ca. 0.46 Pfund), […]
Das Starpower GD200HFL120C2S IGBT-Modul ist ein Hochleistungs-Leistungshalbleitergerät, das für effizientes Schalten und Steuern von Leistung entwickelt wurde. Hier sind die wichtigsten Details und Merkmale des IGBT-Moduls GD200HFL120C2S: Allgemeine Beschreibung: Das STARPOWER IGBT-Leistungsmodul ist für extrem niedrige Leitungsverluste und hohe Kurzschlussfestigkeit ausgelegt. Es ist auf Anwendungen wie […] zugeschnitten.
Das MDS MDS200A1600V ist ein IGBT-Modul, das für seine Eigenschaften und Spezifikationen bekannt ist, die es für verschiedene Anwendungen geeignet machen. Hier sind die Details: Merkmale: Maximale Nennwerte und Eigenschaften: Das IGBT-Modul MDS200A1600V ist darauf ausgelegt, effiziente Leistungsschalt- und Steuerfunktionen bereitzustellen. Es zeichnet sich durch seine hohe Spannungs- und Stromverarbeitungsfähigkeit aus und macht […]
Das Infineon DDB6U205N16L ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit den folgenden maximalen Nennwerten und Eigenschaften: Bitte beachten Sie, dass diese Werte die absoluten maximalen Nennwerte für das IGBT-Modul DDB6U205N16L darstellen und für ordnungsgemäße Betriebs- und Sicherheitsüberlegungen in verschiedenen Anwendungen bereitgestellt werden .
Das Infineon FF400R07KE4 ist ein 650 V, 400 A Dual-IGBT-Modul, hergestellt von Infineon Technologies. Dieses Modul verfügt über die TRENCHSTOP™ IGBT4-Technologie zusammen mit einer emittergesteuerten Diode. Es ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert, die eine erhöhte Sperrspannungsfähigkeit, eine hohe Kurzschlussfähigkeit und eine optimale elektrische Leistung erfordern. Das Modul ist in einem Standardgehäuse untergebracht.
Das Infineon FF400R06KE3 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für Hochleistungsschaltanwendungen entwickelt wurde. Es verfügt über spezifische maximale Nennwerte und Eigenschaften, die es für verschiedene Industrie- und Leistungssteuerungsanwendungen geeignet machen. Hier sind die wichtigsten Spezifikationen und Merkmale des IGBT-Moduls FF400R06KE3: Maximale Nennwerte und Eigenschaften: Das IGBT-Modul FF400R06KE3 […]
Der Infineon #FZ400R17KE3 ist für den ordnungsgemäßen Gebrauch und zur Vermeidung von Schäden oder Ausfällen unerlässlich. Lassen Sie uns die einzelnen maximalen Bewertungen und Eigenschaften dieser Komponente durchgehen:
Das Fuji 2MBI400VG-060 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde, die schnelle Schalt- und Spannungsantriebsfähigkeiten erfordern. Nachfolgend sind die Funktionen, Anwendungen und maximalen Nennwerte dieses Moduls aufgeführt: Merkmale: Anwendungen: Maximale Nennwerte (Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben):