Foxconn wird voraussichtlich die höchste Wachstumsrate verzeichnen, mit einem geschätzten jährlichen Wachstum von etwa 5–7 %. Dieses Wachstum umfasst bedeutende Aufträge wie die 16G-Plattform von Dell, AWS Graviton 3 und 4, Google Genoa und Microsoft Gen9. Bei Bestellungen von KI-Servern hat Foxconn bemerkenswerte Fortschritte bei Oracle erzielt und sich außerdem einige AWS-ASICs gesichert.
In ihrem Gesamtjahresbericht für 2023 bleiben die ITSA-Mitglieder trotz eines schwierigen Jahres optimistisch. Die Leistung der Märkte schwankt weiterhin erheblich, mit starken Rückgängen in den Märkten Kommunikation, Datenverarbeitung und Massentransport. Wichtige Statistiken: – • Der Auftragsbestand ist im Vergleich zu 8 um 2022 % gesunken • Der Book-to-Bill-Wert bleibt mit 1:02 gerade noch positiv • Der Vertrieb hat jetzt einen […]
Technische Daten des Mitsubishi QM150DY-H IGBT-Moduls Entdecken Sie die innovativen Funktionen des Mitsubishi QM150DY-H IGBT-Moduls, einer leistungsstarken Lösung für verschiedene industrielle Anwendungen. Hauptmerkmale: Leistungsdetails: Anwendungen: Vielseitiges Design: Zuverlässige Leistung:
Mit der Bezeichnung 8650HD können zwei 65-GHz-Kanäle über 1.85-mm-50-Ω-Anschlüsse betrieben oder auf vier 33-GHz-Kanäle umgeschaltet werden. Es ist Teil der 8000HD-Oszilloskopfamilie mit sechs Modellen von 20 bis 65 GHz, bis zu 320 Gsample/s (zwei Kanäle) und bis zu 8 Gpoints Erfassungsspeicher (200 Mpint/s/ch ist Standard) – alle mit […]
Das FUJI 7D50D-050EHR ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für Hochleistungsschaltanwendungen entwickelt wurde. Hier ist eine Zusammenfassung seiner Funktionen, Anwendungen und Spezifikationen: Funktionen: Anwendungen: Spezifikationen (maximale Bewertungen): Modulinformationen:
Das Toshiba MIG20J952H ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für verschiedene Leistungselektronikanwendungen entwickelt wurde. IGBTs werden häufig in Hochleistungsschaltanwendungen eingesetzt und vereinen die Vorteile von MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) und Bipolartransistoren. Hier ist eine Zusammenfassung der Funktionen, Anwendungen und Spezifikationen des Toshiba MIG20J952H IGBT-Moduls: Funktionen: Anwendungen: Spezifikationen […]
Das Mitsubishi QM75D1X-H ist ein IGBT-Modul mit spezifischen Funktionen, Anwendungen und maximalen Nennwerten. Hier ist eine Aufschlüsselung der bereitgestellten Informationen: Merkmale: Typische Anwendungen: Das Modul ist für eine Reihe von Anwendungen geeignet, einschließlich: Maximale Nennwerte und Eigenschaften: Dies sind die absoluten maximalen Nennwerte und Betriebsbedingungen für das Modul:
Das Toshiba MG200H1AL2 ist ein robustes IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für Hochleistungsschaltanwendungen entwickelt wurde. Hier finden Sie einen kurzen Überblick über die wichtigsten Funktionen und Spezifikationen: Beschreibung: Das MG200H1AL2 ist ein Transistormodul mit einem Nennstrom von 200 Ampere und einer Nennspannung von 450 Volt. Es wiegt 210 Gramm (ca. 0.46 Pfund), […]
Die MPU-Optionen mit der Bezeichnung COM-HPC-cRLS reichen bis zum i9 mit 16 Performance-Kernen plus acht effizienten Kernen und 36 MB Cache – bei 65 W Design-Leistung. „Das Modul zeigt eine brillante Leistung pro Watt zusammen mit AVX-512 VNNI und Intel UHD AI-Inferenzunterstützung für die Realisierung verschiedener Edge-KI- und IoT-Anwendungsfälle“, sagte Adlink. Es gibt zwei 2.5-GbE-LAN […]