Toshiba MG100Q2YS11 Auf Lager

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MG100Q2YS11 Beschreibung

GTR Modul: Silizium-N-Kanal-IGBT; 100 Ampere; 1200 Volt

MG100Q2YS11 0.98 lbs

Ziel_Anwendungen

MG100Q2YS11 kann in Hochleistungsschaltanwendungen für Motorsteuerungsanwendungen verwendet werden

Eigenschaften

Toshiba Halbleiter [GTR-Modul, Silizium-N-Kanal-IGBT, Hochleistungsschaltanwendungen, Motorsteuerungsanwendungen]
IGBT: 100A1200V