Toshiba MG100Q2YS11 Disponible

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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/mg100q2ys11.html

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MG100Q2YS11 Descripción

GTR Módulo: IGBT de canal N de silicio; 100 amperios; 1200 voltios

MG100Q2YS11 0.98 libras

Aplicaciones_objetivo

MG100Q2YS11 podría usarse en aplicaciones de conmutación de alta potencia Aplicaciones de control de motores

Caracteristicas

Toshiba Semiconductores [Módulo GTR Silicio N Canal IGBT Aplicaciones de conmutación de alta potencia Aplicaciones de control de motores]
IGBT: 100A1200V