#MG100Q2YS11 Toshiba MG100Q2YS11 Nuovo IGBT: 100A1200V, immagini MG100Q2YS11, prezzo MG100Q2YS11, fornitore # MG100Q2YS11
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Descrizione MG100Q2YS11
GTR Moduli: IGBT a canale N al silicio; 100 Ampere; 1200 Volt
MG100Q2YS11 0.98 libbre
Target_Applicazioni
MG100Q2YS11 può essere utilizzato in applicazioni di commutazione ad alta potenza Applicazioni di controllo motore
Caratteristiche
Toshiba Semiconduttore [Modulo GTR Applicazioni di commutazione ad alta potenza IGBT a canale N in silicio Applicazioni di controllo motori]
IGBT: 100A1200V
Shunlongwei ha ispezionato ogni MG100Q2YS11 prima della spedizione, tutti i MG100Q2YS11 con 6 mesi di garanzia.