Toshiba MG200Q1US1 Auf Lager

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https://www.slw-ele.com/mg200q1us1.html

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MG200Q1US1 Beschreibung

GTR Modul: Silizium-N-Kanal-IGBT; 200 Ampere; 1200 Volt

MG200Q1US1 0.74 lbs

Ziel_Anwendungen

MG200Q1US1 kann in Hochleistungsschalt- / Motorsteuerungsanwendungen verwendet werden

Eigenschaften

N-Kanal-IGBT (Hochleistungsschalt- / Motorsteuerungsanwendungen)
1IGBT: 200A1200V