Toshiba MG200Q1US1 Op voorraad

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MG200Q1US1 Beschrijving

GTR Module: Silicium N-kanaal IGBT; 200 Amp; 1200Volt

MG200Q1US1 0.74 pond

Target_Toepassingen

MG200Q1US1 kan worden gebruikt in High Power Switching / Motor Control-toepassingen

Voordelen

N-kanaal IGBT (High Power Switching / Motor Control Applications)
1GBBT: 200A1200V