Toshiba MG200Q1US1 Disponible

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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/mg200q1us1.html

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MG200Q1US1 Descripción

GTR Módulo: IGBT de canal N de silicio; 200 amperios; 1200 voltios

MG200Q1US1 0.74 libras

Aplicaciones_objetivo

MG200Q1US1 podría usarse en aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia

Caracteristicas

IGBT de canal N (aplicaciones de control de motores / conmutación de alta potencia)
1IGBT: 200A1200V