Tower Semiconductor kündigt bahnbrechende ADAS LIDAR-Technologie an

Aktualisierung: 14. September 2021

Tower Halbleiter kündigt bahnbrechende ADAS LIDAR-Technologie an

Tower Semiconductor kündigt bahnbrechende ADAS LIDAR-Technologie an

Tower Halbleiter hat eine so genannte bahnbrechende Entwicklung bei LiDAR angekündigt IC Technologie für fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS).

Der IC wurde von Forschern des Ming Hsieh Department of Electrical and Computer Engineering an der USC Viterbi School of Engineering entwickelt und von SungWon Chung geleitet und mit der Open Foundry Silicon Photonics-Plattform von Tower Semiconductor hergestellt.

Der IC verwendet optische Phased-Arrays – Hunderte von kompakten optischen Antennen – zusammen mit Amplituden- und Phasenmodulatoren auf einem Siliziumchip für eine genaue 3D-Abbildung der Umgebung ohne bewegliche Teile.

Darüber hinaus sind Sichtfeld, Auflösung, Scanmuster und Scangeschwindigkeit programmierbar, sodass mit diesem System ausgestattete Autos viel besser auf reale Szenarien reagieren können.

Die Silizium-Photonik-Plattform PH18 von Tower Semiconductor bietet eine Reihe optischer Komponenten, darunter Modulatoren mit extrem hoher Bandbreite und Fotodetektoren. Diese Plattform bietet auch die Hochleistungselemente, die für hochpräzise LiDAR-Anwendungen erforderlich sind, wie beispielsweise verlustarme Siliziumnitrid-Wellenleiter, die größere optische Leistungen verarbeiten können.

Der LiDAR-IC, der bei einer für das menschliche Auge freundlichen Wellenlänge von 1550 nm arbeitet, verwendet eine kontinuierliche Wellenfrequenzmodulation (FMCW), wodurch er in einer möglicherweise sehr überfüllten Fahrumgebung widerstandsfähiger gegenüber Umgebungshelligkeit und Interferenzen von anderen LiDARs ist.